VLV22電纜價格，VLV22電纜報價
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硅烷交聯(lián)又稱溫水交聯(lián)，1960年英國康寧公司（Dow-Corning）提出開發(fā)的，也稱為SioplasE法，即硅烷接枝交聯(lián)工藝，它是接枝和擠出分成兩個工序進行，*步由絕緣料廠將硅烷交聯(lián)劑與基料在擠出機上接枝和擠出造粒，該料粒稱為A料，同時還提供催化劑和著色劑的母料，稱B料。第二步是電纜廠將A、B料以95:5的比例混合。并在普通擠出機上擠包在電纜導體上，再放入70℃～90℃溫水中交聯(lián)也可以在蒸汽房中交聯(lián)。該工藝投資成本低，可用一般的擠出機進行加工，材料價格適中，得到廣泛的應用。但也存在著以下缺點：（1）接枝聚乙烯容易與空氣中水分發(fā)生先期交聯(lián)，縮短了貯存時間，一般貯存期為半年。（2）接枝聚乙烯與催化劑母料的混合物，貯存期一般不超過3h，所以需要邊混合邊擠塑。（3）由于兩步法通過多次混合，容易導致雜質的混入，故只能用于10kV及以下電纜絕緣的制造。
為了 克服Sioplas的局限性，1977年英國BICC和瑞士Mailiefer公司合作，在道康寧公司發(fā)明的兩步法基礎上，又發(fā)明了一步法硅烷交聯(lián)工藝，也稱作Monosil工藝。它將聚乙烯基料、炕氧劑和和液態(tài)硅烷同時計量、混合，即是將接枝反應和添加催化劑過程合并，并采用長徑比為30:1的擠出機將絕緣擠包在電纜導體上，即將絕緣層的接枝和擠出由一個步驟來完成，故稱為一步法。它的材料成本zui低，雜質的污染機會減少，而且材料貯存期可以大大增加。但是這種工藝技術難度大，設備投資比二步法大，需要配備一套液態(tài)硅烷的送料系統(tǒng)。
到了八十年代日本菱克隆公司在吸取兩步法和一步法的優(yōu)點基礎上開發(fā)共聚法。共聚法也是使用硅烷共聚單體——乙烯基-*氧基硅烷，只是采用的工藝不同。該工藝不是把有機硅烷接枝到聚合物鏈上，而是在聚合過程中導入可水解硅烷，從而產生一種易于加工的硅烷共聚物，具體方法是在高壓反應釜中，使乙烯與硅烷共聚單體發(fā)生共聚反應，這項工藝的關鍵是，所選用的共聚單體必須是含有一種能夠與乙烯發(fā)生反應生成聚合物鏈的不飽和基團。乙烯硅烷共聚物與Sioplas接枝化合物結構上基本相同。
第四節(jié) 交聯(lián)方法
交聯(lián)絕緣的品種雖多，但主要分為物理交聯(lián)和化學交聯(lián)兩大類。物理交聯(lián)也稱為輻照交聯(lián)一般適用于絕緣厚度較薄的低壓電纜。中高壓電纜一般采用過氧化物交聯(lián)即用化學方法將線性分子通過化學交聯(lián)反應起來，轉化為立體網狀結構?；瘜W交聯(lián)一般可分為過氧化物交聯(lián)和硅烷接枝交聯(lián)兩種?；瘜W交聯(lián)方法比高能輻射交聯(lián)工藝簡單，操作安全，輻照交聯(lián)聚乙烯的交聯(lián)度約為70%，而化學交聯(lián)可達70～90%。
一、輻照交聯(lián)
1960年美國瑞侃公司（Rachem）就已開發(fā)了輻照交聯(lián)電藍。這種方法不要求加入交聯(lián)劑。
五十年代初，美國已經發(fā)現(xiàn)用放射性同位素，反應堆廢料、反應堆輻照本身以及電子加速器的能源來使聚乙烯交聯(lián)。后來發(fā)現(xiàn)，只有電子加速器產生的高能射線才具有足夠的密集輻照功率和使用功率，并可用于電線電纜制造。
輻照是采用高能粒子射線（如β射線）照射線性分子聚合物，在其鏈上打開兩個或幾個線性分子交叉聯(lián)結起來。輻照交聯(lián)一般適用于絕緣厚度較薄的低壓電纜。它的主要優(yōu)點有：
（1）生產速度快，占用空間??；
（2）可加工材料種類多，如PE、PVC、EPDM、CPE、PP、幾乎所有聚合物，產品品種多；
（3）產品有更好的耐熱、耐磨和較高的電氣性能，可阻燃；
（4）電耗低。
但也存在一些問題：
（1）設備一次投資大；
（2）對較大截面電纜的輻照不均勻，經反復輻照后，電纜彎曲次數太多，不適合于10kV及以上電纜的生產。主要適用于電氣裝備電纜，對較小截面電纜和1kV～10kV架空絕緣電纜也是可以的。
（3）設備開工率低，利用率不高，成本大。
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