中科院福建物構(gòu)所中遠(yuǎn)紅外非線性光學(xué)材料設(shè)計(jì)與合成獲系列進(jìn)展

　　中遠(yuǎn)紅外(2–20 μm)二階非線性光學(xué)(NLO)材料在光電對(duì)抗、資源探測(cè)、空間反導(dǎo)、通訊等方面有重要的應(yīng)用。目前，商用中遠(yuǎn)紅外二階NLO材料為AgGaS₂和ZnGeP₂，但這兩個(gè)材料又都存在一些致命的弱點(diǎn)，例如損傷閾值低、雙光子吸收等。因此，探索新型中遠(yuǎn)紅外NLO材料是當(dāng)前NLO材料研究的一個(gè)難點(diǎn)和熱點(diǎn)。

　　在國(guó)家自然科學(xué)基金、中科院重要方向性項(xiàng)目等項(xiàng)目的支持下，福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所中科院光電材料化學(xué)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳玲研究小組在中遠(yuǎn)紅外二階NLO材料設(shè)計(jì)與合成研究方面取得了系列突破。創(chuàng)新性地提出了非線性功能基團(tuán)組裝、離子基團(tuán)調(diào)控、非線性功能基團(tuán)的不對(duì)稱控制設(shè)計(jì)的學(xué)術(shù)思想，獲得了系列具有優(yōu)良性能的中遠(yuǎn)紅外二階NLO材料，發(fā)現(xiàn)了迄今zui強(qiáng)Kleinman-Forbidden粉末倍頻效應(yīng)的新穎結(jié)構(gòu)La₄InSbS₉材料，該化合物為I型相位匹配中遠(yuǎn)紅外NLO材料，其粉末倍頻效應(yīng)強(qiáng)度達(dá)到商用AgGaS₂材料的1.5倍，研究成果發(fā)表在《美國(guó)化學(xué)會(huì)志》上(J. Am. Chem. Soc., 2012, 134, 1993–1995);通過非線性功能基團(tuán)的金屬中心不對(duì)稱控制獲得了Ba₃AGa₅Se₁₀Cl₂ (A = Cs, Rb, K)系列材料，其中Ba₃CsGa₅Se₁₀Cl₂材料在30-46μm尺寸下，粉末倍頻效應(yīng)強(qiáng)度高達(dá)商用材料AgGaS₂的100倍，研究成果發(fā)表在《美國(guó)化學(xué)會(huì)志》上(J. Am. Chem. Soc., 2012, 134, 2227–2235)。