噴漆房廢氣治理設(shè)備價格

制定有關(guān)水保護(hù)的法律法規(guī)限制各部門用水量我國已發(fā)布《城市節(jié)約用水管理規(guī)定》、《關(guān)于大力開展城市節(jié)約用水的基礎(chǔ)的通知》、《進(jìn)一步做好城市節(jié)約用水工作的報告》、《城市供水條例》等涉及水管理的行政法規(guī)，且已取得不錯的收效。我們應(yīng)繼續(xù)出臺相關(guān)法律，對各部門用水量進(jìn)行限制，如若超標(biāo)用水可采用經(jīng)濟(jì)處罰手段；對于嚴(yán)重污染水體的企業(yè)可責(zé)令整改，更甚者可強(qiáng)行關(guān)閉。結(jié)語節(jié)約用水，不只是城市進(jìn)步的象征，社會發(fā)展的重要標(biāo)志，還是經(jīng)濟(jì)社會可持續(xù)發(fā)展的必然要求。

水吸收法

原理：利用臭氣中某些物質(zhì)易溶于水的特性，使臭氣成分直接與水接觸，從而溶解于水達(dá)到脫臭目的。適用范圍：水溶性、有組織排放源的惡臭氣體。優(yōu)點(diǎn)：工藝簡單，管理方便，設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用低 產(chǎn)生二次污染，需對洗滌液進(jìn)行處理。缺點(diǎn)：凈化效率低，應(yīng)與其他技術(shù)聯(lián)合使用，對硫醇，脂肪酸等處理效果差。

曝氣式脫臭法

原理：將惡臭物質(zhì)以曝氣形式分散到含活性污泥的混和液中，通過懸浮生長的微生物降解惡臭物質(zhì) 適用范圍廣。適用范圍：截至2013年，日本已用于糞便處理場、污水處理廠的臭氣處理。優(yōu)點(diǎn)：活性污泥經(jīng)過馴化后，對不超過極限負(fù)荷量的惡臭成分，去除率可達(dá)99.5%以上。缺點(diǎn)：受到曝氣強(qiáng)度的限制，該法的應(yīng)用還有一定局限。

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催化氧化工藝

原理：反應(yīng)塔內(nèi)裝填特制的固態(tài)填料，填料內(nèi)部復(fù)配多介質(zhì)催化劑。當(dāng)惡臭氣體在引風(fēng)機(jī)的作用下穿過填料層，與通過特制噴嘴呈發(fā)散霧狀噴出的液相復(fù)配氧化劑在固相填料表面充分接觸，并在多介質(zhì)催化劑的催化作用下，惡臭氣體中的污染因子被充分分解。適用范圍：適用范圍廣，尤其適用于處理大氣量、中高濃度的廢氣，對疏水性污染物質(zhì)有很好的去除率。優(yōu)點(diǎn)：占地小，投資低，運(yùn)行成本低；管理方便，即開即用。缺點(diǎn)：耐沖擊負(fù)荷，不易污染物濃度及溫度變化影響，需消耗一定量的藥劑。

低溫等離子體

低溫等離子體是繼固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)之后的物質(zhì)第四態(tài)，當(dāng)外加電壓達(dá)到氣體的著火電壓時，氣體分子被擊穿，產(chǎn)生包括電子、各種離子、原子和自由基在內(nèi)的混合體。放電過程中雖然電子溫度很高，但重粒子溫度很低，整個體系呈現(xiàn)低溫狀態(tài)，所以稱為低溫等離子體。低溫等離子體降解污染物是利用這些高能電子、自由基等活性粒子和廢氣中的污染物作用，使污染物分子在極短的時間內(nèi)發(fā)生分解，并發(fā)生后續(xù)的各種反應(yīng)以達(dá)到降解污染物的目的。

低溫等離子體空氣凈化設(shè)備能夠顯著治理的污染有：VOC、惡臭氣體、異味氣體、油煙、粉塵，也可用于消毒殺菌。低溫等離子體技術(shù)是一種全新的凈化過程，不需要任何添加劑、不產(chǎn)生廢水、廢渣，不會導(dǎo)致二次污染。

Ⅱ。緩蝕阻垢劑DC-S213B按系統(tǒng)總?cè)萘客都?5㎎/L，1～2天內(nèi)化驗(yàn)系統(tǒng)內(nèi)總磷含量為1.5～2.5ppm轉(zhuǎn)入正常運(yùn)行，正常運(yùn)行后按按每天補(bǔ)水量投加，標(biāo)準(zhǔn)為15㎎/L。循環(huán)水控制指標(biāo)如下表Ⅲ循環(huán)水運(yùn)行過程當(dāng)中，如總磷含量不達(dá)標(biāo)時，應(yīng)補(bǔ)加DC-S213B緩蝕阻垢劑，用量按以下公式：補(bǔ)加藥劑(kg)=(應(yīng)含總磷ppm-實(shí)測總磷ppm)總?cè)菟?總磷含量%1Ⅵ。循環(huán)水濃縮倍數(shù)超標(biāo)時，可采取增大排污量來調(diào)整系統(tǒng)排污量(m3)=實(shí)測濃縮倍數(shù)-應(yīng)控濃縮倍數(shù)/實(shí)測濃縮倍數(shù)-1總水量4.循環(huán)水投用時，各換熱器的投用應(yīng)本著自上而下的原則，先投用位置較高的設(shè)備后投用位置較低的設(shè)備。