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更新時間：2022-08-22 15:38:48瀏覽次數(shù)：1817次
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日立球差校正掃描透射電子顯微鏡HD-2700，相比于普通的透射電鏡，HD-2700采用球差校正技術(shù)，大大減小了透鏡球差對分辨率的影響，從而可以實(shí)現(xiàn)超高分辨率的觀察。同時，HD-2700是目前少數(shù)以掃描透射（STEM）功能為主的透射電鏡，大會聚角的STEM功能配合場發(fā)射電子槍和球差校正技術(shù)可以使HD-2700獲得亞納米級的電子束
日立球差校正掃描透射電子顯微鏡HD-2700
產(chǎn)品介紹:
HD-2700是一款200kV的場發(fā)射球差校正掃描透射電鏡。相比于普通的透射電鏡，HD-2700采用球差校正技術(shù)，大大減小了透鏡球差對分辨率的影響，從而可以實(shí)現(xiàn)超高分辨率的觀察。同時，HD-2700是目前少數(shù)以掃描透射（STEM）功能為主的透射電鏡，大會聚角的STEM功能配合場發(fā)射電子槍和球差校正技術(shù)可以使HD-2700獲得亞納米級的電子束，使得原子級分辨率的圖像觀察和元素分析成為了可能，大大提高了電鏡的觀察和分析能力。
日立球差校正掃描透射電子顯微鏡HD-2700主要特點(diǎn):
高分辨觀察
利用金顆粒保證0.144nm分辨率DF-STEM像（標(biāo)準(zhǔn)型）。
大束流分析
約為非校正的STEM探針電流的10倍，可以進(jìn)行高速、高靈敏度能譜分析，可以在更短的時間內(nèi)獲得元素的面分布圖，使得檢測微量元素成為可能。
簡化的操作
提供了的GUI自動調(diào)節(jié)球差校正器
整體的解決方案
樣品桿與日立FIB兼容，提供了納米尺度的整體解決方案，從制樣到數(shù)據(jù)獲得和zui終分析
多種評價和分析功能可選
可同時獲得和顯示SE&BF、SE&DF、BF&DF、DF/EDX和DF/EELS像；可以配備ELV-2000型實(shí)時元素Mapping系統(tǒng)(DF-STEM像可以同時獲得)；可以同時觀察DF-STEM像和衍射像；可以配備超微柱頭樣品桿進(jìn)行三維分析(360度旋轉(zhuǎn))等。
技術(shù)參數(shù)：
| 項目 | 主要參數(shù) |
| 電子槍 | 冷場或熱場發(fā)射電子槍 |
| 加速電壓 | 200kV、120kV* |
| 0.144nm（標(biāo)準(zhǔn)型，配有球差、冷場或熱場） | |
| 線分辨率 | 0.136nm（高分辨型，配有球差、冷場） |
| 0.204nm（標(biāo)準(zhǔn)型，配有熱場，無球差） | |
| 放大倍率 | 200x - 10,000,000x |
| 圖像模式 | BF-STEM相襯度像(TE像)、DF-STEM原子序數(shù)襯度像(ZC像)、二次電子像(SE像)、電子衍射花樣(可選)、特征X射線像(可選：EDX)、EELS像(可選：ELV-2000) |
| 電子光學(xué) | 電子槍：冷場或熱場發(fā)射電子槍，內(nèi)置陽極加熱器 |
| 透鏡系統(tǒng)：兩級聚光鏡、物鏡、投影鏡 | |
| 球差校正器：六極/傳輸 雙重（標(biāo)準(zhǔn)型和高分辨型） | |
| 掃描線圈：兩級電磁線圈 | |
| 電位移：±1μm | |
| 樣品桿 | 側(cè)插式，X=Y=±1mm，Z=±0.4mm ，T=±30°(單傾樣品桿) |
應(yīng)用領(lǐng)域:
HD-2700作為一款場發(fā)射球差校正的掃描透射電鏡，不僅具有高分辨率的圖像觀察能力，同樣具有高空間分辨率的分析能力，配合EELS和EDS可以實(shí)現(xiàn)原子級元素的分析。HD-2700具有多種成像模式，可以滿足大部分樣品的觀察需求，日立*的SE成像模式可以獲得透射電鏡無法獲得的樣品表面的信息，同時又比普通掃描電鏡具有更高的分辨率，可以實(shí)現(xiàn)對樣品表面的高分辨觀察。
應(yīng)用文章：
[1] Ciston1, J., Brown2, H. G., D`Alfonso2, A. J., Koirala3, P., Ophus1, C., Lin3, Y., Suzuki4, Y., Inada5, H., Zhu6, Y. & Marks3, L. D. Surface determination through atomically resolved secondary electron imaging.Nature Communications,2005,6, 7358-7365.
[2] Zhu1*, Y., Inada2, H., Nakamura2, K. & Wall1, J. Imaging single atoms using secondary electrons with an aberration-corrected electron microscope.Nature Materials,2009,8, 808-812.
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