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技術(shù)文章

MOS管工作原理及MOS管的結(jié)構(gòu)特點,詳細(xì)介紹!

閱讀:418發(fā)布時間:2022-12-19

MOS管工作原理


一、MOS管的工作原理--MOS管簡介


MOS管,即集成電路中的絕緣場效應(yīng)管。 MOS的英文全稱是Metal-Oxide-Semiconductor,即金屬氧化物半導(dǎo)體。準(zhǔn)確地說,這個名稱描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),即:具有一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,加上二氧化硅和金屬,形成一個柵極。 MOS管的源漏是可以倒置的,都是形成在P型背柵中的N型區(qū)。大多數(shù)情況下,兩個區(qū)域是相同的,即使兩端接反,器件的性能也不會受到影響。這種裝置被認(rèn)為是對稱的。


二、MOS管的工作原理--MOS管的結(jié)構(gòu)特點


MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;導(dǎo)通時,只有一種極性的載流子(多個)參與導(dǎo)通,為單極晶體管。導(dǎo)通機(jī)制與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大差異。低功率 MOS 晶體管是橫向?qū)щ娖骷?。大多?shù)功率MOSFET采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),也稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐流能力。能力。


Mos管的結(jié)構(gòu)特點


它的主要特點是在金屬柵極和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有非常高的輸入電阻。當(dāng)管子導(dǎo)通時,在兩個高濃度n擴(kuò)散區(qū)形成n型導(dǎo)電溝道。 n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上正向偏置,只有當(dāng)柵源電壓大于閾值電壓時,導(dǎo)電溝道才會產(chǎn)生n溝道MOS管。 n溝道耗盡型MOS管是指在不施加?xùn)艠O電壓(柵源電壓為零)時具有導(dǎo)電溝道的n溝道MOS管。


三、MOS管的工作原理--MOS管的特點


3.1 MOS管輸入輸出特性


對于共源極連接的電路,源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔開,因此柵極電流為零。


MOS管特性


圖(a)為共源連接電路,右圖為輸出特性曲線。


當(dāng) VGS


MOS管特性


3.2 MOS管導(dǎo)通特性


MOS管作為開關(guān)元件,也有兩種工作狀態(tài):關(guān)斷或?qū)?。由于MOS管是電壓控制元件,其工作狀態(tài)主要由柵源電壓uGS決定。下面以NMOS管為例介紹其特點。


MOS管特性


圖(a)是由NMOS增強(qiáng)型晶體管組成的開關(guān)電路。


NMOS的特性,Vgs大于一定值就會導(dǎo)通,適用于源極接地(低端驅(qū)動)的情況,只要柵極電壓達(dá)到4V或10V即可。


PMOS的特性,Vgs小于一定值就會導(dǎo)通,適用于源極接VCC(驅(qū)動)的情況。然而,雖然PMOS可以方便地用作高邊驅(qū)動器,但由于導(dǎo)通電阻大、價格高、替代品種類少,NMOS通常用于高邊驅(qū)動器。


4、MOS管工作原理


MOS管(帶N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)的工作原理是利用VGS控制“感應(yīng)電荷"的數(shù)量來改變這些“感應(yīng)電荷"形成的導(dǎo)電溝道的狀態(tài),進(jìn)而控制泄漏電流的目的。在制造管子時,大量的正離子通過這個過程出現(xiàn)在絕緣層中,因此在界面的另一側(cè)可以感應(yīng)出更多的負(fù)電荷。這些負(fù)電荷連接高磁導(dǎo)率雜質(zhì)的N區(qū),形成導(dǎo)電溝道,因此,即使VGS=0,也有較大的漏電流ID。當(dāng)柵極電壓變化時,溝道中感應(yīng)的電荷量也發(fā)生變化,導(dǎo)電溝道的寬度也隨之變化,因此漏極電流 ID 隨柵極電壓的變化而變化。


MOS管的工作原理


知識延伸


MOS管分類


根據(jù)溝道材料類型和絕緣柵類型,有N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)通方式:MOS管分為耗盡型和增強(qiáng)型,所以MOS場效應(yīng)管又分為N溝道耗盡型和增強(qiáng)型。類型; P溝耗盡型和增強(qiáng)型四類。 MOS管的分類 MOS管的分類


MOS管應(yīng)用


MOS管最顯著的特點是其良好的開關(guān)特性,因此廣泛應(yīng)用于需要電子開關(guān)的電路中,如開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動,以及照明調(diào)光。而且,由MOS管組成的CMOS傳感器為相機(jī)提供了越來越高的畫質(zhì),讓更多的“攝影師"成為現(xiàn)實。 MOS管應(yīng)用


MOS管工作原理—參考資料


1. MOS管反激分析的開關(guān)損耗


描述:用反激法分析MOS管的開關(guān)損耗


2、MOSFET的工作原理


描述:功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理


3、MOS和三極管作為開關(guān)使用時的區(qū)別


說明:MOS管和三極管作為開關(guān)使用時的區(qū)別



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