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更新時(shí)間：2024-05-03 08:06:26瀏覽次數(shù)：168次
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低溫真空探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)（芯片、晶圓片、封裝器件）、MEMS、超導(dǎo)、電子學(xué)、物理學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。為了提高系統(tǒng)的實(shí)用性，系統(tǒng)還可以提供3.2K的溫度擴(kuò)展選件、振動(dòng)隔離裝置、LN2杜瓦、高放大倍數(shù)的顯微鏡、分子泵機(jī)組、熱輻射屏的溫度控制裝置、探針臂的光纖電纜、光學(xué)樣品架等選件。
低溫真空探針臺(tái)是一款為晶片、器件和材料（薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導(dǎo)材料、鐵電材料等）提供真空和低溫測試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測量平臺(tái)?？梢詫?duì)材料或器件進(jìn)行電學(xué)特性測量、光電特性測量、參數(shù)測量、高阻測量、DC測量、RF測量和微波特性測量，
低溫真空探針臺(tái)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)（芯片、晶圓片、封裝器件）、MEMS、超導(dǎo)、電子學(xué)、物理學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。為了提高系統(tǒng)的實(shí)用性，系統(tǒng)還可以提供3.2K的溫度擴(kuò)展選件、振動(dòng)隔離裝置、LN2杜瓦、高放大倍數(shù)的顯微鏡、分子泵機(jī)組、熱輻射屏的溫度控制裝置、探針臂的光纖電纜、光學(xué)樣品架等選件。
KT-Z1604T探針臺(tái)主要應(yīng)用于傳感器，半導(dǎo)體，光電，集成電路以及封裝的測試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。
該探針臺(tái)的承載臺(tái)為60x60不銹鋼臺(tái)面，臺(tái)面可升溫到350℃。真空腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動(dòng)，三個(gè)方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié)，其中X方向調(diào)節(jié)范圍：0－30mm；y方向調(diào)節(jié)范圍：0－20mm；z方向調(diào)節(jié)范圍：0－20mm；用戶可根據(jù)需要自行調(diào)節(jié)。使用時(shí)將需檢測的器件固定在加熱臺(tái)上，再微調(diào)探針支架X/Y/Z 方向行程，通過顯微鏡觀察，使探針對(duì)準(zhǔn)檢測點(diǎn)后，即可進(jìn)行檢測
真空腔體 | |
腔體材質(zhì) | 304不銹鋼 |
上蓋開啟 | 鉸鏈側(cè)開 |
加熱臺(tái)材質(zhì) | 304不銹鋼 |
內(nèi)腔體尺寸 | φ160x90mm |
觀察窗尺寸 | Φ70mm |
加熱臺(tái)尺寸 | φ60mm |
觀察窗熱臺(tái)間距 | 75mm |
加熱臺(tái)溫度 | 35-350℃ |
加熱臺(tái)溫控誤差 | ±1℃ |
真空度 | 機(jī)械泵≤10Pa 分子泵≤10-3Pa |
允許正壓 | ≤0.1MPa |
真空抽氣口 | KF25真空法蘭 |
氣體進(jìn)氣口 | 3mm-6mm卡套接頭 |
電信號(hào)接頭 | SMA轉(zhuǎn)BNC X 4 |
電學(xué)性能 | 絕緣電阻 ≥4000MΩ 介質(zhì)耐壓 ≤500V |
探針數(shù)量 | 4探針 |
探針材質(zhì) | 鎢針 |
探針尖 | 10μm |
探針移動(dòng)平臺(tái) | |
X軸移動(dòng)行程 | 30mm ±15mm |
X軸控制精度 | ≤0.01mm |
Y軸移動(dòng)行程 | 13mm ±12.5mm |
Y軸控制精度 | ≤0.01mm |
Z軸移動(dòng)行程 | 13mm ±12.5mm |
Z軸控制精度 | ≤0.01mm |
電子顯微鏡 | |
顯微鏡類別 | 物鏡 |
物鏡倍數(shù) | 0.7-4.5倍 |
工作間距 | 90mm |
相機(jī) | sony 高清 |
像素 | 1920※1080像素 |
圖像接口 | VGA |
LED可調(diào)光源 | 有 |
顯示屏 | 8寸 |
放大倍數(shù) | 19-135倍,視場范圍15×13-2.25×1.7mm，小可分辨0.08mm |
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