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First Sensor PIN光電探測(cè)器

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更新時(shí)間：2024-02-07 11:38:03瀏覽次數(shù)：236次

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  光電二極管

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深圳維爾克斯光電有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

First Sensor致力于研發(fā)各類具有高靈敏度和低暗電流的光電二極管系列產(chǎn)品，從350-1700nm寬波段都有相應(yīng)的型號(hào)進(jìn)行挑選，F(xiàn)irst Sensor PIN光電二極管，也可以稱為光敏二極管

詳細(xì)介紹

PIN光電二極管，光電探測(cè)器，高靈敏度，低暗電流

First Sensor致力于研發(fā)各類具有高靈敏度和低暗電流的光電二極管系列產(chǎn)品，材料與加工工藝可根據(jù)具體客戶的具體產(chǎn)品需求進(jìn)行調(diào)整，以此優(yōu)化產(chǎn)品參數(shù)，其中包括但不限于波長(zhǎng)、速度和容量下的靈敏度。我們致力于為您找到您具體應(yīng)用需求的理想技術(shù)。

6b系列，藍(lán)綠光敏感型光電二極管：

藍(lán)色光譜范圍內(nèi)敏感增強(qiáng)型PIN 光電二極管

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm²）	暗電流（nA）5V	上升時(shí)間（ns）410nm 5V 50Ω
3001225	PS13-6b	TO5	3.5×3.5 / 13	0.25	50
5000025	PS100-6b	CERpinS	10×10 / 100	1	200

6系列，具有超低暗電流的紅外光電二極管：

高性能PIN光電二極管，可用于檢測(cè)低電容光子及α、β、γ和X射線輻射

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm2）	暗電流（nA）3.5V	上升時(shí)間（ns）850nm 10V 50Ω
3001208	PC10-6	TO5	?3.57 / 10	0.2	20
3001047	PC20-6	TO8	?5.05 / 20	0.3	25
3001054	PS100-6	CERpinG	10×10 / 100	1	40

6系列/四象限PIN光電二極管：

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm2）	Gap（μm）150V	暗電流（nA）3.5V	電容（pf）10V	上升時(shí)間（ns）850nm 10V 50Ω
5000029	QP1-6	TO52	?1.13 / 4x0.25	16	0.1*	1	20
3004334	PC20-6	TO8	? 7.8 / 4x12.5	42	2.0*	25	40
3001232	PS100-6	CERpinG	10x10 / 4x25	50	4.0*	50	40

*每一部分

5系列，近紅外光敏感型高速光電二極管：

該系列外延式高速光電二極管可成為低工作電壓領(lǐng)域可見光與近紅外應(yīng)用的理想之選。

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm2）	暗電流（nA）3.5V	上升時(shí)間（ns）405nm 3.5V 50Ω
3001393	PS0.25-5	LCC6.1	0.5×0.5 / 0.25	0.1	0.4
3001048	PS0.25-5	SMD1206	0.5×0.5 / 0.25	0.1	0.4

Q系列，1064nm波段光電二極管：

該系列外延式高速光電二極管可成為低工作電壓領(lǐng)域可見光與近紅外應(yīng)用的理想之選。

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm2）	暗電流（nA）150V	上升時(shí)間（ns）1064nm 150V 50Ω
5000032	PS100-Q	LCC10G	10×10 / 100	80	14

Q系列/四象限PIN光電二極管：

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm2）	暗電流（nA）150V	上升時(shí)間（ns）1064nm 180V 50Ω
3001177	QP22-Q	TO8S	?5.3 / 4×5.7	1.5*	12
3001275	QP45-Q	TO8Si with heater	6.7×6.7 / 4×10.96	8*	12
3001431	QP100-Q	LCC10G	10×10 / 4×25	6.5*	12
3001386	QP154-Q	TO1032i	?14.0 / 4×38.5	10*	12
3001433	QP154-Q	TO1081i with heater	?14.0 / 4×38.5	10*	12
3001434	QP154-Q	TO1081i with heater	?14.0 / 4×38.5	10*	12

*每一部分

i系列/InGaAs 銦鎵砷探測(cè)器：低暗電流、高靈敏度

First Sensor 提供大面積銦鎵砷 PIN (InGaAs PIN) 光電二極管，其活性傳感器表面直徑可達(dá) 3mm。該系列二極管具有低暗電流和高靈敏度（可達(dá) 1700nm 波長(zhǎng)）的特點(diǎn)。另提供用于可見光波長(zhǎng)范圍的增強(qiáng)型版本。外殼提供TO 解決方案和SMD 封裝方式備選。

訂購(gòu)編碼	型號(hào)	封裝方式	有效面積尺寸（mm）/面積（mm2）	光譜響應(yīng)（A/W）650nm/1550nm	暗電流（nA）5V	電容（pf）5V
3001210	PC0.7-i	LCC6.1	1.0 / 0.7	0.05 / 0.95	2	70
3001212	PC0.7-i	TO52S1	1.0 / 0.7	0.05 / 0.95	2	70
3001211	PC0.7-ix	LCC10G	1.0 / 0.7	0.3 / 0.95	2	70
3001213	PC0.7-ix	TO1032i	1.0 / 0.7	0.3 / 0.95	2	70
3001228	PC7.1-i	TO5i	3.0 / 7.1	0.05 / 0.95	25	700

德國(guó)First Sensor PIN光電探測(cè)器的原理是將光轉(zhuǎn)換成電壓（光電效應(yīng)）或光電流的半導(dǎo)體部件。硅半導(dǎo)體中的P-N結(jié)是實(shí)現(xiàn)該過程的物理基礎(chǔ)。具有足夠能量的光子被探測(cè)器吸收后會(huì)形成光生載流子（電子空穴對(duì)）。光生載流子在空間電荷區(qū)完成分離后產(chǎn)生光電流。

在不施加外部電壓的情況下亦可分離光生載流子。該過程可采用反向電壓加速進(jìn)程。如果不在飽和狀態(tài)下運(yùn)行二極管，則光電流與吸光度值能夠在多個(gè)數(shù)量級(jí)維持線性關(guān)系。

根據(jù)外部連接方式，我們將運(yùn)行狀態(tài)分為兩類：元件運(yùn)行和二極管運(yùn)行。在元件運(yùn)行狀態(tài)下，二極管直接連接至電器終端，無(wú)需使用外部電壓源。在此種工作狀態(tài)下，系統(tǒng)無(wú)暗電流產(chǎn)生，便于檢測(cè)最小強(qiáng)度變化。

在二極管運(yùn)行狀態(tài)下，外部電壓源與電器終端串行連接，向二極管施加反向電壓。在要求實(shí)現(xiàn)快速信號(hào)響應(yīng)之應(yīng)用領(lǐng)域，此種運(yùn)行模式不啻為理想之選。但其主要缺點(diǎn)是暗電流會(huì)隨溫度升高而呈指數(shù)增長(zhǎng)。

PIN光電二極管在P型半導(dǎo)體和N型襯底之間加入一層本征半導(dǎo)體層，形成本征半導(dǎo)體區(qū)（通常為空間電荷區(qū)）然而，該術(shù)語(yǔ)詞亦可用于具有逆導(dǎo)電性的元器件，但其前提是該元器件未涉及其他非線性效應(yīng)。