典型用戶:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學,中國計量科學研究院等、半導體制和微電子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等;
相關(guān)產(chǎn)品: *實時原位薄膜應力儀(kSA MOS Film Stress Tester):同樣采用多光束MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對于薄膜生長過程中的應力變化進行實時原位測量和二維成像分析; *薄膜熱應力測量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)
技術(shù)參數(shù): kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System; 1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍:300mm (XY)(可選); 2.XY雙向掃描速度:20mm/s; 3.XY雙向掃描平臺掃描最小步進/分辨率:2 μm ; 4.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品; 5.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描; 6.成像功能:樣品表面2D曲率、應力成像,及3D成像分析; 7.測量功能:曲率、曲率半徑、應力強度、應力、Bow和翹曲等;
主要特點: 1.程序化控制掃描模式:單點掃描、選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描; 2.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應力2D成像分析; 3.測量功能:薄膜應力、翹曲、曲率半徑等; 4.支持變溫熱應力測量功能,溫度范圍-65C to 1000C; 5.薄膜殘余應力測量;