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無(wú)接觸體電阻率型號(hào)測(cè)試儀（TRM-100）
HS-TRM-100型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)測(cè)試儀是基于渦流（Eddy Current）測(cè)試技術(shù)，能夠?qū)枇?、硅棒、硅錠及硅片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的體電阻率測(cè)試。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2018/1/22 5:40:50 對(duì)比

無(wú)接觸體電阻率型號(hào)測(cè)試儀
電池片數(shù)片機(jī)
產(chǎn)品介紹:太陽(yáng)能電池片數(shù)片機(jī)，可對(duì)太陽(yáng)能硅片及電池片進(jìn)行準(zhǔn)確計(jì)數(shù)分析。是一款簡(jiǎn)潔、高效、精確、高品質(zhì)的數(shù)片機(jī)。同時(shí)可配合barcode系統(tǒng)進(jìn)行產(chǎn)品管理，避免數(shù)量...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2018/1/18 11:59:02 對(duì)比

硅片電池片數(shù)片
硅料綜合測(cè)試儀
本儀器是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多功能綜合測(cè)試裝置，它可以測(cè)量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率，適用于半導(dǎo)體及太陽(yáng)能行業(yè)的篩選。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2018/1/18 8:10:13 對(duì)比

電阻率型號(hào)測(cè)試
手動(dòng)無(wú)接觸硅片測(cè)試儀（HS-NCS-300）
手動(dòng)硅片測(cè)試儀可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2018/1/15 10:00:02 對(duì)比

無(wú)接觸硅片測(cè)試儀
坩堝涂層氮化硅
■涂噴在坩堝表面，在加熱作用下，使液態(tài)氮化硅均勻的吸附坩堝表面，形成粉狀涂層，■涂層目的是保護(hù)石英坩堝在高溫下石英坩堝與硅隔離，使液態(tài)硅不與石英坩堝反應(yīng)，而使石...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2018/1/8 0:42:07 對(duì)比

坩堝涂層氮化硅
SS50AAA-PLC太陽(yáng)模擬器
SS50AAA-PLC太陽(yáng)模擬器是用來(lái)模擬太陽(yáng)輻照度和頻譜的設(shè)備。太陽(yáng)模擬器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池特性測(cè)試，光電材料特性測(cè)試，生物化學(xué)相關(guān)測(cè)試，光學(xué)催化降解加速研...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2018/1/7 19:47:46 對(duì)比

太陽(yáng)模擬器
HS-POSRT大量程電阻率測(cè)試儀
HS‐POSRT原生多晶電阻率測(cè)試儀是一款電阻率測(cè)試儀器，具有電阻率大量程及超大量程測(cè)量的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了電阻率從0.0001歐姆.厘米到幾萬(wàn)歐姆.厘米（可擴(kuò)展）的...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/30 20:38:21 對(duì)比

大量程電阻率測(cè)試儀
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀
用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/29 22:40:56 對(duì)比

電阻率方阻測(cè)試儀
SiC晶種（籽晶）
SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導(dǎo)體材料。然而生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中*要素就取決于SiC晶種的品...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/25 19:22:16 對(duì)比

SiC晶種（籽晶）
PET標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池
PET標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池于校準(zhǔn)太陽(yáng)模擬器的輻照。也可以使用(配套設(shè)備)來(lái)衡量太陽(yáng)模擬器時(shí)間穩(wěn)定性和/光束的非均勻性。另外，還可以用來(lái)IV測(cè)量系統(tǒng)光電流強(qiáng)度來(lái)校準(zhǔn)測(cè)量...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/20 7:17:32 對(duì)比

校準(zhǔn)太陽(yáng)模擬器的輻照
雜質(zhì)含量測(cè)試儀（元素含量分析）
適合于對(duì)晶體進(jìn)行雜質(zhì)含量測(cè)試，其主要用途是對(duì)樣品中包括Si、Fe、Mg、Ca、Ti、Na、Cu、Pb在內(nèi)的多種個(gè)元素進(jìn)行分析。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/19 11:42:15 對(duì)比

藍(lán)寶石原料雜質(zhì)含量分析元素含量分析
硅材料碳氧測(cè)試儀HS-OCT-2000
1）適合于硅材料的氧、碳含量的測(cè)定；2）可實(shí)現(xiàn)硅料中氧碳含量自動(dòng)、快速、準(zhǔn)確的測(cè)量；3）具備完整的譜圖采集、光譜轉(zhuǎn)換、光譜處理、光譜分析及輸出功能，使得操作更簡(jiǎn)...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/17 14:44:05 對(duì)比

氧、碳含量的測(cè)定
無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)（PV-1000）
PV-1000系列無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)為太陽(yáng)能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、（總厚度變化）TTV、翹曲及無(wú)接觸電阻率測(cè)量功能。并...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/16 10:14:03 對(duì)比

無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試
藍(lán)寶石缺陷觀(guān)測(cè)儀
以上產(chǎn)品可以非常方便的對(duì)藍(lán)寶石晶體及晶片的缺陷進(jìn)行宏觀(guān)觀(guān)測(cè)。是晶體初期檢測(cè)及篩選的有效手段，為分析缺陷和改進(jìn)工藝提供了高效的工具。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/14 19:00:50 對(duì)比

藍(lán)寶石晶體及晶片的缺陷進(jìn)行宏觀(guān)觀(guān)測(cè)
母合金
■摻雜，又稱(chēng)配料，摻雜的目的主要是用來(lái)改變硅熔體中施主雜質(zhì)（如磷）或受主雜質(zhì)（如硼）的雜質(zhì)濃度，使其生長(zhǎng)出的單晶電阻率達(dá)到規(guī)定的要求。所謂“母合金"就是雜質(zhì)元素...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/14 17:52:58 對(duì)比

母合金摻雜劑
硅片表面線(xiàn)痕深度測(cè)試儀（HS-SRT-301）
HS-SRT-301型硅片線(xiàn)痕深度測(cè)試儀可用于測(cè)試硅片的表面線(xiàn)痕深度，具有便于攜帶、觸摸屏便捷操作、液晶顯示、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)內(nèi)置打印機(jī)和充電電池，所有設(shè)計(jì)均符...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/13 8:41:04 對(duì)比

測(cè)試硅片的表面線(xiàn)痕深度
供應(yīng)各種校核片、測(cè)試片、標(biāo)片
供應(yīng)各種校核片、測(cè)試片、標(biāo)片■電阻率■型號(hào)■少子壽命■厚度■標(biāo)準(zhǔn)電池■氧碳含量……
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/13 0:45:17 對(duì)比

供應(yīng)各種校核片、測(cè)試片、標(biāo)片
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - HS-MPRT-5
本儀器用來(lái)測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/12 22:27:03 對(duì)比

電阻率方阻測(cè)試儀
HS-ATS-100硅片電池片自動(dòng)測(cè)試架
HS-ATS-100硅片電池片自動(dòng)測(cè)試架是使用單板機(jī)可編程控制，步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，絲桿滑動(dòng)，定位精確，操作方便，可隨意調(diào)節(jié)探頭的下降Z低點(diǎn)，上升Z高點(diǎn)固定，探頭在Z...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/11 23:54:01 對(duì)比

硅片電池片自動(dòng)測(cè)試架
鎵摻雜劑
■用鎵代替硼作為摻雜劑來(lái)拉制太陽(yáng)電池單晶，可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低光衰減問(wèn)題（因?yàn)楸苊饬伺鹧鯊?fù)合體－嚴(yán)重影響光衰減率的深能級(jí)的產(chǎn)生）。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/11 23:37:57 對(duì)比

拉單晶鎵摻雜劑（Ga Dopant）

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