簡要描述：三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD為臺式磁控濺射鍍膜機(jī)在較短時間內(nèi)即可形成具有細(xì)粒度的均勻薄膜。儀器結(jié)構(gòu)緊湊，全自動控制。利用直流磁控濺射和射頻磁控濺射技術(shù)，進(jìn)行某傳感器基底Al2O3薄膜絕緣層的制備工藝及性能研究，對于指導(dǎo)薄膜傳感器工藝設(shè)計及應(yīng)用的快速發(fā)展，具有十分重要的理論意義及較好的工程應(yīng)用價值。

詳細(xì)介紹

O2流量為0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm時直流和射頻制備的薄膜均呈透明狀且表面均勻致密，常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶態(tài)?！　≡趩我蛩卦囼炑芯康幕A(chǔ)上設(shè)計正交試驗，繼續(xù)深入研究直流、射頻方法下，濺射靶功率、O2流量、工作氣壓的綜合變化對Al2O3薄膜濺射沉積速率的影響，并對正交試驗結(jié)果進(jìn)行極差與方差分析。獲取了較優(yōu)的直流、射頻薄膜制備工藝參數(shù)并進(jìn)行薄膜的制備，對制備薄膜的沉積時間、薄膜表面粗糙度、薄膜的復(fù)合硬度進(jìn)行檢測并對比分析，選定了優(yōu)化后的直流濺射工藝參數(shù)并實施Al2O3薄膜的制備。通過對制備的薄膜進(jìn)行掃描電鏡觀測和能譜檢測，驗證了所選工藝參數(shù)的合理性。對常溫下不銹鋼基底上制備的Al2O3薄膜進(jìn)行退火處理，測試分析退火溫度對薄膜晶體結(jié)構(gòu)影響，結(jié)果表明:與常溫制備薄膜相比，退火溫度800℃時出現(xiàn)γ-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)，奧氏體相消失，退火溫度1000℃時出現(xiàn)α-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)和金屬間化合物AlFe。　　利用薄膜傳感器的結(jié)構(gòu)要求與傳感器薄膜的性能要求探索了制備Al2O3絕緣膜的工藝方法，得出了濺射靶功率、O2流量、工作氣壓、負(fù)偏壓和本底真空度等因素對直流和射頻濺射沉積薄膜性能等的影響規(guī)律，改進(jìn)并優(yōu)化了Al2O3薄膜制備工藝，結(jié)合退火工藝得出了退火溫度對Al2O3薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律。

三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD

應(yīng)用領(lǐng)域：

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進(jìn)行蒸碳，實現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；

控制方式	7寸人機(jī)界面手動自動模式切換控制
濺射電源	直流濺射電源
鍍膜功能	0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序
功率	≤1000W
輸出電壓電流	電壓≤1000V 電流≤1A
真空	機(jī)械泵 ≤5Pa（5分鐘）分子泵≤5*10^-3Pa
濺射真空	≤30Pa
擋板類型	電控
真空腔室	石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm
樣品臺	可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底）
樣品臺轉(zhuǎn)速	8轉(zhuǎn)/分鐘
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離	40-105mm
真空測量	皮拉尼真空計（已安裝測量范圍10E5Pa 1E-1Pa）
預(yù)留真空接口	KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進(jìn)氣口