半導(dǎo)體分立器件測試儀

【資料簡介】

半導(dǎo)體分立器件測試儀型號：CS2935
 
一、產(chǎn)品特點(diǎn)： 
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計(jì)算機(jī)操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點(diǎn)測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實(shí)際測試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。 
二、測試參數(shù) 
1． 二管       
VF、IR、BVR 
2．  穩(wěn)壓（齊納）二管    
VF、IR、BV Z 
3．  晶體管       Transistor（NPN型/PNP型） 
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON 
4．   可控硅整流器（晶閘管）    
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM  
5．  場效應(yīng)管    
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS 


6．  光電耦合器        
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 
*7．三端穩(wěn)壓器 
VO、SV、ID、IDV

三、測試參數(shù)范圍

晶體管

 

測試參數(shù)	測試范圍
ICEO ICBO IEBO	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VCE(sat) VBE(sat)	0.10V-30V
VBE(VBE(on))	0.10V-30V
hFE	1－99999
V(BR)EBO	0.10V-30V
V(BR)CEO V(BR)CBO	0.       10V-50V 50V-1499V

 

二管

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
V(BR)	1V-50V
	50V-1499V

 

穩(wěn)壓二管

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VF	0.10V-30V
VZ	0.10V-50V

 

三端穩(wěn)壓器

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
VO	0.10V-30V
SV	0.10mV-1V
ID	1uA-10mA
IDV	1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
VGS(th)	0.10V-30V
gfs	0.1mS-1000S
RDS(on)	10mΩ-100KΩ
VDS(on)	0.10V-50V
IGSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
IDSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
ID(on)	0-50A
V(BR)GSS	0.1V-30V
V(BR)DSS	0.1V-1499V

 

光耦

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
VF	0.10V-30V
IR	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
VCE(sat)	0.10V-50V
CTR	0.1%-1000%
ICEO	與IR參數(shù)相同
V(BR)ECO V(BR)CEO	0.10V-50V 50V-1499V

 

可控硅

 

 

測試參數(shù)	測試范圍
IGT	10uA-200mA
VGT	0.10V-30V
IH	10uA-1A
IL	10uA-1A
VTM	0.10V-50V

 

四、技術(shù)指標(biāo)

1、源的指標(biāo)

主壓流源 (VA)

      電壓：

 

 

設(shè)定范圍（V）	度
±(0~10)	±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)	±(73.2mV+0.5%set)

 

電流：

 

 

測量范圍	度
±(0-50)uA	±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA	±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA	±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA	±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA	±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脈沖）	±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脈沖）	±(244mA+0.5%set)

 

壓流源 (VB)

      電壓：

 

 

設(shè)定范圍（V）	度
±(0~10)	±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)	±(43.8mV+0.5%set)

 

電流：

 

 

測量范圍	度
±(0-50)uA	±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA	±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA	±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA	±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA	±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脈沖）	±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脈沖）	±(244mA+0.5%set)

 

源（HV）

 

 

設(shè)定范圍（V）	度
0~1500	±(1.22V+1%set)

 

*1500V時(shí) 大輸出為5mA。

2、電壓表的指標(biāo)

測漏電流

 

 

測量范圍	度
±(0~200)nA	±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA	±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA	±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA	±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA	±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA	±(244uA+0.5% Rdg)

 

測試電壓

 

 

設(shè)定范圍（V）	度
±(0~10)	±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)	±(15mV+0.5% Rdg)

 

測擊穿電壓

 

 

設(shè)定范圍（V）	度
（0~50）V/10mA	±(36.6mV+0.25% Rdg)
（50~1500）V/1mA	±(610.3mV+1% Rdg)

 

放大倍數(shù)

 

 

設(shè)定范圍（V）	度
1~9999	1%