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PSD位敏探測器(一維/二維)

參考價	面議

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
品牌
型號
所在地
廠商性質(zhì)其他
更新時間2024/2/7 10:03:47
訪問次數(shù)235

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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳維爾克斯光電有限公司是的進(jìn)口光電代理商，代理的激光、光電、光機(jī)械類產(chǎn)品，應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系，提供針對不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺、紅外熱像儀、電控平移臺、紅外探測器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累，能夠?yàn)橛脩籼峁└鞣N高性價比的解決方案。

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產(chǎn)品簡介在線詢價

一維/二維位敏探測器SiTek是在偏置模式下工作，一維位置感應(yīng)探測器和SiTek二維PSD的位置非線性分別是±0.1%和±0.3%，PSD探測器主要應(yīng)用于距離和高度測量、校準(zhǔn)、位置和運(yùn)動測量等。

PSD位敏探測器(一維/二維) 產(chǎn)品信息

SiTek位敏探測器PSD，高分辨率，位置非線性±0.1%和±0.3%

適用于所有一維/二維位敏探測器SiTek的通用數(shù)據(jù)：

- 典型熱漂移：1L(一維)系列為20 ppm/°C，2L(二維)系列為40ppm/°C

- 偏置電壓：5-20V

- 工作溫度：70°C

- 存儲溫度：100°C

一維/二維位敏探測器SiTek規(guī)格數(shù)據(jù)是在以下條件下測量的：

- 偏壓=15V

- 溫度23°C

- 位置非線性和熱漂移的測量范圍為探測器長度的80%

- 熱漂移的測量范圍為23°C至70°C

- 除非另有說明，否則所有數(shù)值均為典型值

- 有關(guān)詳細(xì)數(shù)據(jù)，請參閱各數(shù)據(jù)表

瑞典SiTek在生產(chǎn)位置感應(yīng)探測器方面具有幾十年的經(jīng)驗(yàn)，注重分辨率、線性度和品質(zhì)，很受客戶的青睞。位置感應(yīng)探測器(Position Sensing Detector, PSD)，也叫位置傳感器PSD，是一種光電設(shè)備，可將入射光點(diǎn)轉(zhuǎn)換為連續(xù)的位置數(shù)據(jù)。一維/二維位敏探測器SiTek具有分辨率高、響應(yīng)速度快、線性度好的特點(diǎn)，適用于各種光強(qiáng)，而且操作電路簡單。

SiTek探測器主要有兩種類型：一維和二維。SiTek位敏探測器PSD根據(jù)側(cè)面效應(yīng)光電二極管原理工作，具有出色的位置分辨率。PSD位敏探測器(一維/二維)分辨率由系統(tǒng)信噪比決定，而且是在偏置模式下工作。另外，SiTek還可提供特殊的紫外UV或YAG增強(qiáng)型和核型版本(Nuclear versions)。

圖1：PSD位敏探測器(一維/二維)圖示

SiTek位敏探測器PSD的特點(diǎn)：

- 將光點(diǎn)或輻射點(diǎn)的位置轉(zhuǎn)換為信號電流

- PSD探測器具備出色的位置分辨率和線性度

- 光譜響應(yīng)范圍廣

- 可在各種光照或輻射強(qiáng)度下工作

- 響應(yīng)時間短

- 同時測量光或輻射強(qiáng)度的位置

- 不受光點(diǎn)或輻射點(diǎn)聚焦的影響

- 動態(tài)范圍廣

SiTek位敏探測器PSD的應(yīng)用：

- 距離和高度測量

- 校準(zhǔn)、位置運(yùn)動測量和振動研究

- 非接觸式距離測量系統(tǒng)（三角測量法）

- 校準(zhǔn)和表面水平測量

- 定位和運(yùn)動測量系統(tǒng)

- 光學(xué)光譜分析儀

- 三維機(jī)器視覺（輪廓映射）

- 角度測量系統(tǒng)

一維位敏探測器(1-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表：

- 位置非線性：±0.1%

- 探測器電阻：50kohm

Part.NO	型號	有效面積(mm)	漏電流(nA) Leakage current	Noise干擾電流pA/Hz	電容(pF)	上升時間(10-90%)(µs)	標(biāo)準(zhǔn)封裝
S1-0001	1L2.5_CP2	2.5x0.6	2	0.4	1.6	0.03	14針 DIL
S1-0065	1L2.5_CP1	2.5x0.6	2	0.4	1.6	0.03	4針 DIL
S1-0003	1L5_CP2	5.0x1.0	4	0.4	5	0.05	14針 DIL
S1-0009	1L5_CP1	5.0x1.0	4	0.4	5	0.05	4針 DIL
S1-0005	1L10_CP2	10x2	8	0.4	15	0.2	14針 DIL
S1-0236	1L10_SU70	10x2	8	0.4	15	0.2	SMD
S1-0006	1L20_CP3	20x3	60	0.5	45	0.5	22針 DIL
S1-0007	1L30_SU2	30x4	150	0.7	90	1	基底
S1-0247	1L45_SU69	45x3	110	0.4	105	2.7	基底
S1-0248	1L60_SU34	60x3	150	0.4	135	4.5	基底

消除雜散光的SiTek一維PSD：

- 位置非線性：±0.1%

- 探測器電阻：200kohm

Part.NO	型號	有效面積(mm)	漏電流(nA) Leakage current	Noise干擾電流pA/Hz	電容(pF)	上升時間(10-90%)(µs)	標(biāo)準(zhǔn)封裝
S1-0090	1L5NT_CP1	5x0.25	4	0.3	5	0.25	4針 DIL
S1-0066	1L5NT_CP2	5x0.25	4	0.3	5	0.25	14針 DIL
S1-0067	1L10NT_CP2	10x0.5	8	0.3	15	0.7	14針 DIL

帶有增強(qiáng)UV響應(yīng)的SiTek一維位置感應(yīng)探測器:

Part.NO	型號	有效面積(mm)	漏電流(nA) Leakage current	Noise干擾電流pA/Hz	電容(pF)	上升時間(10-90%)(µs)	標(biāo)準(zhǔn)封裝
S1-0072	1L2.5UV_CP2	2.5x0.6	2	0.4	1.6	0.03	14針 DIL
S1-0032	1L5UV_CP2	5x1	4	0.4	5	0.05	14針 DIL
S1-0073	1L10UV_CP2	10x2	8	0.4	15	0.2	14針 DIL
S1-0074	1L20UV_CP3	20x3	50	0.5	45	0.5	14針 DIL
S1-0034	1L30UV_SU2	30x4	150	0.5	90	1	基底

二維位敏探測器(2-dimensional PSD)快速參考數(shù)據(jù)規(guī)格表：

- 位置非線性：±0.3%

- 探測器電阻：10kohm

Part.NO	型號	有效面積(mm)	漏電流(nA) Leakage current	Noise干擾電流pA/Hz	電容(pF)	上升時間(10-90%)(µs)	標(biāo)準(zhǔn)封裝
S2-0001	2L2_MP1	2x2	50	1.3	7	0.03	TO-8
S2-0032	2L2_CP4	2x2	50	1.3	7	0.03	4針陶瓷
S2-0002	2L4_MP1	4x4	50	1.3	20	0.08	TO-8
S2-0024	2L4_CP5	4x4	50	1.3	20	0.08	4-陶瓷
S2-0184	2L4_SU71	4x4	50	1.3	20	0.08	SMD
S2-0003	2L10_SU7	10x10	100	1.3	90	0.4	基底
S2-0033	2L10_CP6	10x10	100	1.3	90	0.4	4針陶瓷
S2-0185	2L10_SU72	10x10	100	1.3	90	0.4	SMD
S2-0004	2L20_SU9	20x20	200	1.5	360	1.6	基底
S2-0023	2L20_CP7	20x20	200	1.5	360	1.6	4針陶瓷
S2-0196	2L45_SU24	45x45	400	1.5	1600	7.0	基底

帶有增強(qiáng)UV響應(yīng)的SiTek二維PSD：

Part.NO	型號	有效面積(mm)	漏電流(nA) Leakage current	Noise干擾電流pA/Hz	電容(pF)	上升時間(10-90%)(µs)	標(biāo)準(zhǔn)封裝
S2-0030	2L2UV_MP1	2 x 2	50	1.3	7	0.03	TO-8
S2-0006	2L4UV_MP1	4 x 4	50	1.3	20	0.08	TO-8
S2-0016	2L10UV_SU7	10 x 10	100	1.3	90	0.4	基底
S2-0034	2L20UV_SU9	20 x 20	200	1.5	360	1.6	基底