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目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司>>先進(jìn)封裝>> 電鍍?cè)O(shè)備

電鍍?cè)O(shè)備
  • 電鍍?cè)O(shè)備
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時(shí)間:2021-10-12 09:25:51瀏覽次數(shù):1797評(píng)價(jià)

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盛美半導(dǎo)體先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備可應(yīng)用于多通道先進(jìn)封裝的關(guān)鍵電鍍步驟,包括pillar, bump和 RDL。該電鍍?cè)O(shè)備也可運(yùn)用于fan-out, TSV (Through Silicon Via)和TMV (Through Molding Via)工藝。

電鍍?cè)O(shè)備

 

主要優(yōu)勢(shì)

水平式電鍍腔體,無(wú)交叉污染

可單腔體維護(hù),提高設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)間(up time)

橡膠密封技術(shù), 更好的密封性能

第二陽(yáng)極技術(shù),更好地控制均一性

靈活的工序控制


特性和規(guī)格

兼容8寸和12寸

最多可配至3個(gè)Load Port

最多可配至4種預(yù)濕腔體,真空控制

最多可配至4 個(gè)清洗腔體

最多可配至20個(gè)電鍍腔體: Cu,Sn/Ag, Ni

設(shè)備尺寸: 2050 x 5950 x 2650 mm

工藝性能:
片內(nèi)均一性: <5% (-最小/2 平均)
片間均一性<3%
重復(fù)性: <3%
COP: < 2.0 µm

 

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