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軸向穿心無(wú)感IGBT吸收薄膜電容器 224J1200V 0.22UF 18X36

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更新時(shí)間：2023-12-28 17:10:41瀏覽次數(shù)：115次

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IGBT吸收電容器產(chǎn)品應(yīng)用：①IGBT緩沖吸收②廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備中開關(guān)器件關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓

詳細(xì)介紹

IGBT吸收電容器產(chǎn)品應(yīng)用：

①IGBT緩沖吸收

②廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備中開關(guān)器件關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓，尖峰電流吸收保護(hù)

③應(yīng)用于高壓高頻，高電流脈沖電路中

 

軸向穿心無(wú)感IGBT吸收薄膜電容器 224J1200V 0.22UF 18X36

 

引用標(biāo)準(zhǔn)： GB/T17702,IEC 61071

氣候類別：  40/85/56

額定溫度： 85℃

工作溫度范圍：-40℃~+85℃

額定電壓：700Vdc~3000Vdc

容量范圍：0.0047μF～6.8μF

容差：±5%(J),±10% (K)

耐電壓： 1.5× UN(DC),10s

損耗角正切  ≤ 0.0006 (1kHz, 20°C)

絕緣阻抗  ≥100 000MΩ, CN≤ 0.33μF (at 100VDC,60s ,20~25℃) ≥30000s CN> 0.33uF

自感系數(shù)  ≦1nH/mm of capacitor and lead length used for connection.

工作壽命 Operation life time 100 000h at UN , θhs ≦70℃

關(guān)鍵詞：電容器 電子設(shè)備
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