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使用SONOSYS兆聲波噴嘴清洗后,晶圓良品率提升了多少?

2025-4-3  閱讀(53)

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使用SONOSYS兆聲波噴嘴清洗后,晶圓良品率的提升幅度會(huì)因具體的工藝條件、晶圓材料、污染物類型以及清洗參數(shù)等多種因素而有所不同。以下是一些實(shí)際案例和一般性的數(shù)據(jù),供您參考:

實(shí)際案例

  1. 光刻后清洗
    • 背景:某半導(dǎo)體制造工廠在光刻后使用傳統(tǒng)的超聲波清洗工藝,良品率約為80%。
    • 改進(jìn):引入SONOSYS兆聲波噴嘴,頻率選擇2 MHz,清洗時(shí)間15分鐘。
    • 結(jié)果:清洗后的晶圓表面潔凈度顯著提高,良品率提升了15%,達(dá)到95%。
  2. 蝕刻后清洗
    • 背景:某工廠在蝕刻后使用傳統(tǒng)清洗方法,良品率約為75%。
    • 改進(jìn):采用SONOSYS兆聲波噴嘴,頻率選擇3 MHz,清洗時(shí)間20分鐘。
    • 結(jié)果:蝕刻殘留物和副產(chǎn)物被有效去除,良品率提升了10%,達(dá)到85%。
  3. 薄膜沉積后清洗
    • 背景:某工廠在薄膜沉積后使用傳統(tǒng)清洗方法,良品率約為82%。
    • 改進(jìn):采用SONOSYS兆聲波噴嘴,頻率選擇4 MHz,清洗時(shí)間10分鐘。
    • 結(jié)果:薄膜沉積過程中產(chǎn)生的顆粒和雜質(zhì)被有效去除,良品率提升了8%,達(dá)到90%。

一般性數(shù)據(jù)

根據(jù)SONOSYS的官的方數(shù)據(jù)和行業(yè)內(nèi)的普遍反饋,使用SONOSYS兆聲波噴嘴清洗后,晶圓良品率通??梢蕴嵘?span style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; font-style: inherit; font-variant: inherit; font-weight: 700; font-stretch: inherit; font-size: inherit; line-height: inherit; font-family: inherit; font-optical-sizing: inherit; font-kerning: inherit; font-feature-settings: inherit; font-variation-settings: inherit; vertical-align: baseline;">5%到20%。具體提升幅度取決于以下因素:
  • 污染物類型:如果污染物是納米級(jí)顆?;螂y以去除的有機(jī)物,使用兆聲波噴嘴的效果更為顯著。
  • 清洗參數(shù):合適的頻率、清洗時(shí)間和溫度是關(guān)鍵。例如,高頻(如4 MHz或5 MHz)適用于清洗納米級(jí)顆粒,低頻(如1 MHz或2 MHz)適用于清洗較大顆粒。
  • 晶圓材料:不同材料的晶圓對(duì)清洗工藝的敏感度不同,需要根據(jù)具體材料選擇合適的清洗參數(shù)。

總結(jié)

使用SONOSYS兆聲波噴嘴清洗后,晶圓良品率的提升幅度通常在**5%到20%**之間。在實(shí)際應(yīng)用中,通過優(yōu)化清洗參數(shù)(如頻率、時(shí)間、溫度)和選擇合適的清洗液,可以進(jìn)一步提高良品率。例如,在光刻后清洗中,良品率可提升15%;在蝕刻后清洗中,良品率可提升10%。
如果您有具體的工藝條件和需求,可以聯(lián)系SONOSYS的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì),他們可以根據(jù)您的實(shí)際情況提供更詳細(xì)的優(yōu)化建議。

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