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目錄:盛美半導體設(shè)備(上海)股份有限公司>>集成電路>> SAPS兆聲波清洗設(shè)備

SAPS兆聲波清洗設(shè)備
  • SAPS兆聲波清洗設(shè)備
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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更新時間:2021-10-12 09:21:02瀏覽次數(shù):1017評價

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盛美*技術(shù)——空間交變相位移(SAPS™)技術(shù),通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化,來實現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布,以達到化的清洗效果。

SAPS兆聲波清洗設(shè)備

• 深溝道清洗

• CMP 后清洗

• Hard Mask 沉積后清洗

• Contact/Via 刻蝕后清洗

• Barrier Metal沉積前清洗

• 晶圓回收清洗

• EPI沉積前清洗

• ALD沉積前清洗

特性和規(guī)格(Ultra C SAPS II)

最多可配至8個腔體,產(chǎn)能225WPH

雙面清洗,最多可配5種清洗藥液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3…

最多可回收兩種藥液

集成式藥液供給模塊

設(shè)備體積?。?.35m x 5.53m x 2.85m (寬x長x高)

特性和規(guī)格(Ultra C SAPS V)

具有所有Ultra C SAPS II設(shè)備功

最多可配至12個腔體, 產(chǎn)能375 WPH

集成式化學藥液供給模塊

可配高溫IPA干燥的技術(shù)

設(shè)備體積:2.35m x 6.7m x 2.85m (寬x長x高)

 

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