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目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司>>集成電路>> 單晶圓清洗設(shè)備

單晶圓清洗設(shè)備
  • 單晶圓清洗設(shè)備
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時(shí)間:2021-10-12 09:25:07瀏覽次數(shù):2494評(píng)價(jià)

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盛美的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路制造中多種前段工藝(FEOL)和后段工藝(BEOL),可跟據(jù)不同應(yīng)用配備不同化學(xué)藥液與輔助清洗方式,也可應(yīng)用于晶圓制造、MEMS制造,以及功率器件制造領(lǐng)域。

單晶圓清洗設(shè)備

• 沉積前清洗

• 蝕刻后清洗

• CMP后清洗

• RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗

• W Loop后清洗

• Cu Loop后清洗

• 去除BEOL聚合物

• 深層Trench/Via清洗

• 薄膜去除

• TSV后清洗

• EPI前清洗

• ALD前清洗




主要優(yōu)勢(shì)和特性規(guī)格(Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI)

可配8腔體,12腔體和18腔體,產(chǎn)能可達(dá)225片/小時(shí),375片/小時(shí)和800片/小時(shí)

具有雙面清洗的能力,最多可配至5種清洗藥液,如:DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方藥液;集成式藥液供給模塊

最多可回收2種藥液,低COO

可選配常溫IPA或者高溫IPA增強(qiáng)型干燥技術(shù)

可選配氮?dú)忪F化DIW二流體清洗或氮?dú)忪F化SC1二流體清洗來(lái)輔助去除顆兆聲波技術(shù)進(jìn)行平坦表面或深孔結(jié)構(gòu)中的濕兆聲波技術(shù)對(duì)圖形片來(lái)進(jìn)行高效無(wú)損傷清洗

設(shè)備尺寸:Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35米×6.30米×2.85米 (寬×長(zhǎng)×高)

 

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