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目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司>>集成電路>> 邊緣濕法刻蝕設(shè)備

邊緣濕法刻蝕設(shè)備
  • 邊緣濕法刻蝕設(shè)備
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時(shí)間:2023-08-12 07:37:37瀏覽次數(shù):2457評價(jià)

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盛美上海的邊緣濕法刻蝕設(shè)備支持多種器件和工藝,包括3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯工藝,使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機(jī)材料薄膜,以及顆粒污染物。

邊緣濕法刻蝕設(shè)備

  

主要優(yōu)勢

用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗,提高先進(jìn)工藝的晶圓邊緣良率

高刻蝕精度,刻蝕寬度大小可調(diào)

自主技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對準(zhǔn),控制精度高、均勻性高,可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕

高產(chǎn)能,低化學(xué)品消耗

設(shè)備和工藝可擴(kuò)展至10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)

對下層材料刻蝕具有高選擇比,對晶圓無損傷的特點(diǎn)

出色的晶圓邊緣清洗能力,更好的顆粒控制

可靈活應(yīng)用于多種襯底材料,包括重?fù)诫s片、Bonding 片、超薄片等


特性和規(guī)格

適用于12寸晶圓邊緣清洗

最多可配置4個(gè)Lord Port

可配置12個(gè)工藝腔體

真空夾盤對晶圓進(jìn)行夾持

可對晶圓正背面邊緣進(jìn)行清洗,最多可配備5種藥液進(jìn)行清洗工藝

每個(gè)腔體均配置高精度的晶圓對中單元

可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元

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