目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司>>集成電路>> 邊緣濕法刻蝕設(shè)備
用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗,提高先進(jìn)工藝的晶圓邊緣良率
高刻蝕精度,刻蝕寬度大小可調(diào)
自主技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對準(zhǔn),控制精度高、均勻性高,可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕
高產(chǎn)能,低化學(xué)品消耗
設(shè)備和工藝可擴(kuò)展至10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)
對下層材料刻蝕具有高選擇比,對晶圓無損傷的特點(diǎn)
出色的晶圓邊緣清洗能力,更好的顆粒控制
可靈活應(yīng)用于多種襯底材料,包括重?fù)诫s片、Bonding 片、超薄片等
適用于12寸晶圓邊緣清洗
最多可配置4個(gè)Lord Port
可配置12個(gè)工藝腔體
真空夾盤對晶圓進(jìn)行夾持
可對晶圓正背面邊緣進(jìn)行清洗,最多可配備5種藥液進(jìn)行清洗工藝
每個(gè)腔體均配置高精度的晶圓對中單元
可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)