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標(biāo)準(zhǔn)型感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)

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更新時(shí)間：2022-12-12 16:29:38瀏覽次數(shù)：588次

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詳細(xì)描述本設(shè)備具有選擇比好，刻蝕速度快、重復(fù)性好等特點(diǎn)，它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用范圍更廣

詳細(xì)介紹

詳細(xì)描述

本設(shè)備具有選擇比好，刻蝕速度快、重復(fù)性好等特點(diǎn)，它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用范圍更廣。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

產(chǎn)品主要性能指標(biāo)

型號(hào)	ICP-2B
真空系統(tǒng)	分子泵機(jī)組
刻蝕室數(shù)量	單室
刻蝕室規(guī)格	?300×280mm
電極尺寸	?200mm
刻蝕材料	Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N₄、W、Mo、GaN、GaAs等。
刻蝕速率	～4 μ/min （與刻蝕材料和工藝有關(guān)）
刻蝕不均勻性	≤±5%
深硅刻蝕控制單元	可選
操作方式	手動(dòng)