高密度等離子體

SI 500 D具有優(yōu)異的等離子體特性，如高密度，低離子能量和低壓等離子沉積介質(zhì)膜。

平行板ICP等離子體源

SENTECH的平行板三螺旋天線(PTSA)ICP等離子體源實現(xiàn)了低功率耦合。

優(yōu)異的沉積性能

低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

動態(tài)溫度控制

動態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極，以及襯底背面溫度傳感在從室溫到+350°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)異穩(wěn)定工藝條件。

SI 500 D等離子沉積設(shè)備代表了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的前沿技術(shù)，如介質(zhì)膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等離子體源、獨立的反應(yīng)氣體進(jìn)氣口、動態(tài)溫度控制襯底電極、全自動控制的真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的先進(jìn)SENTECH控制軟件，以及操作SI 500 D的用戶友好的通用用戶界面。

SI 500 D等離子沉積設(shè)備可以加工各種各樣的襯底，從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件，并實現(xiàn)在不同工藝之間的便捷切換。

SI 500 D等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體，SI 500 D可以為TEOS, SiC,和其它材料的沉積提供解決方案。SI 500 D特別適用于在低溫下在有機(jī)材料上沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。

SENTECH提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 D也可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊。

SI 500 D:

• ICP-PECVD等離子沉積設(shè)備

• 帶預(yù)真空室

• 適用于200mm的晶片

• 襯底溫度從室溫到350?°C

• 激光終點檢測

• 備選電極偏置